メリット
Crucial DDR4 SODIMM
速度もバッテリー寿命も向上し、さらに大容量のメモリで次世代ノートブックを強化。
絶えず変化を続けるテクノロジーの世界では、どのようなコンポーネントであっても、登場から5年も経過すればアップデートが必要になるのが一般的です。すでに7年が経過しているDDR3メモリは、このような状態にあります。このままでは、ノートブックが発揮できる能力が制限されてしまいます。
2007年にDDR3メモリテクノロジーが発表されて以来、プロセッサの能力は2倍になり、SSDのスループットは革新的に増大し、グラフィックスカードのフレームレートも大幅に上昇する中、メモリは後れを取っており、性能を制約する要因となっています。Crucial® DDR4 SODIMMは、DDR3メモリのボトルネックを打ち破り、今までにないレベルのパフォーマンスを実現します。
消費電力をさらに節約
消費電力を抑えてバッテリー寿命を延長します。標準的なDDR3メモリの動作電圧が1.5Vであるのに対し、わずか1.2Vで動作するCrucial DDR4 SODIMMは、標準的なDDR3テクノロジーに比べ、消費電圧を20%も低減できます。Crucial DDR4 SODIMMはその他にも効率向上の機能を備えており、モジュールの全体的な消費電力削減量は最大40%に達します。1
さらに高密度
これまで以上に大容量のメモリをノートブックに実装できます。Crucial DDR4 SODIMMの最初の製品の密度は最大で8GBです。DDR4テクノロジーの進歩に従って、最大密度は32GBに達することが予測されており、DDR3システムの2倍のメモリ容量を実装できるようになります。ノートブックのメモリスロットは1～2基であるため、高密度のCrucial DDR4 SODIMMを利用することで、この制約を打ち破り、さらに大容量のメモリを搭載し、さらに高速なモバイルのパフォーマンスを達成できます。
さらに高速
アプリケーションをロードする時間が短縮され、リソースを多用するプログラムもスムーズに動作します。Crucial DDR4 SODIMMメモリの最初の製品のスピードは2133MT/s。DDR3モジュールに比べて30%以上も高速化しています。1
帯域幅を拡大
複数のアプリケーションのマルチタスキングも軽々とこなし、コンピューターの持つ力をフルに発揮できます。メモリ帯域幅が30%以上も拡大しているCrucial DDR4 SODIMMなら、コンピューターがより多くのデータを一度に処理できるようになります。Crucial DDR4 SODIMMは、次世代プラットフォーム向けに最適化されており、最大の帯域幅を利用できます。
1製品のパフォーマンスと効率の向上は、DDR3とDDR4のメモリテクノロジーの比較データとして提示されています。2014年5月現在、標準的なDDR3メモリの速度は1600 MT/秒、動作電圧1.5Vであるのに対し、DDR4は速度2133MT/秒、1.2Vで動作します。電圧の低減とDDR4の他の省エネ機能すべてを計算に入れると、DDR4モジュールの推定消費電力は最大で40%削減されます。今後のDDR4テクノロジーの進化に伴い、転送速度と帯域幅はそれぞれ3200MT/秒と25.6GB/秒に、つまりDDR3テクノロジーの上限の2倍に達する見込みです。
